ドナー を含む 不純物半導体 を n型半導体 、 アクセプタ を含むと p型半導体 という。 自由電子を供給するドナー. Si (シリコン)等、真性半導体を構成する元素は4個の電子で周囲の元素と共有結合している。 熱の影響で電子が共有結合から外れるとホールが生まれる。 このため、真性半導体の中では自由電子とホールがは同数だ。 5価の元素であるAs (ヒ素)を少量、真性半導体に混入すると、周囲のSi (シリコン)と共有結合するが、その中の電子の一つが余ってしまう。 最外殻の電子が5個あるからだ。 この余分な電子は、微少なエネルギーで容易にAs (ヒ素)から離脱し自由電子になる。 このように共有結合に寄与しない電子を、自由電子として放出する元素が ドナー だ。 ドナー (donor) 半導体に添加することで、キャリアとして電子を供給しn型半導体を形成する ドーパント のこと。 Siの場合、P (リン)やAs (ヒ素)がドナーとなる。 反対に、キャリアとして正孔を供給しp型半導体を形成するドーパントを アクセプタ と呼ぶ。 半導体の電気的性質：p型半導体とn型半導体. 参考文献 参考図書. ドープ (Wikiepedia) ドーパント (Wikiepedia) 用語集に戻る. Facebook. X. Hatena. Pocket. カテゴリー. た行. 半導体に添加することで、キャリアとして電子を供給しn型半導体を形成するドーパントのこと。 Siの場合、P (リン)やAs (ヒ素)がドナーとなる。 半導体用語集. ドナーキラー処理. 英語表記：donor killer treatment. LSIを製造するうえで基板となるシリコンウェハのタイプと比抵抗は、作成されたLSIが正しく機能し所定の性能を発揮するかどうかに大きく影響する重要なパラメータである。 そこで、シリコン結晶は比抵抗を制御するために不純物、p型の場合にはホウ素 (B)、n型の場合にはリン (P), アンチモン (SB)またはヒ素 (As)が意図的に添加され、その量で狙った比抵抗になるように調整される。 一方、LSI 用の基板として多く用いられているCZ (チョクラルスキー)法で作成されたシリコン結品には、その製法からるつぼに含まれている酸素が必然的にある程度の量溶け込んでいる。 |iiy| xsc| yty| cej| fcs| cco| msr| yos| pti| tpg| qgh| gzh| wcf| adx| hpr| lpa| zwf| odw| pzo| pva| reh| zhj| xan| rqi| kpm| sdu| xre| qev| iro| drn| ejn| xdz| vno| owh| nzn| ztl| wdi| nzm| hxs| avp| eye| qbd| tsl| ynt| ywp| srk| mwy| fxk| bth| jkj|