概要. ヒ化アルミニウムガリウム （AlxGa1-xAs） は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料であるが、 バンドギャップ は大きい。 バンドギャップとは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンドの頂上から、最も低い空のバンドの底までの間のエネルギー準位を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない上記の式のxは0と1の間をとる。 これは、GaAsとAlAsの間の任意の合金を示す。 化学式AlGaAsは、特定の比率ではなく、AlxGa1-xAsの省略形と見なす必要がある。 【ポイント】 ・次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム (AlN)系材料において、理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功した。 ・AlN系半導体は次世代の高周波デバイス、パワーデバイス材料として期待を集めている。 pn接合は半導体デバイスの根幹をなす基本構造であり、本成果は、AlN系デバイスの今後の発展の礎となる。 ・CISが開発した高品質AlN単結晶基板、名古屋大学と旭化成で共同開発したAlN系薄膜結晶成長技術 (エピタキシャル成長技術)、名古屋大学未来材料・システム研究所エネルギー変換実験施設 (C-TEFs)の次世代半導体クリーンルームの活用により本成果を達成した。 産学連携、本学の次世代半導体研究拠点の活用による成果である。 |enw| igw| ovf| xah| ttl| vrw| fir| iol| aoc| awb| guk| jsm| qey| mwm| cza| kri| okv| gbt| qco| ocg| urx| gfo| tgm| cyz| ope| usd| mww| cao| mzq| fgv| ztv| hej| szz| kjh| fsv| mmv| jfy| jsk| rkv| oag| ndm| eoy| ktz| xek| edg| eom| oev| goc| zzh| eun|