LED発光のしくみ. . 不純物半導体のp型領域とn型領域が滑らかに接している構造をpn接合といい、このような構造をした半導体をpn接合ダイオードといいます。 図1-5-1 pn接合ダイオード. 電流の向き. 電子の流れ. + pn接合ダイオードのp型半導体のアノード電極Aに+、n型半導体のカソード電極Kに−の順方向電圧を加えると接合面付近ではp型半導体の正孔(ホール)とn型半導体の電子が再結合しながら電流が流れます。 この再結合のときにガリウムヒ素. - p型n型. 導線. A. (GaAs)やガリウム窒素(GaN)といった化合物半導体のような直接遷移半導体では、再結合で余ったエネルギーが光として放出されます。 これを自然放出発光とよびます。 錯体の電子遷移は、その遷移する電子の軌道の種類によっていくつかに分類される。 金属の内部の軌道間での電子遷移を金属内遷移(MC 遷移)という。 先のd軌道間での遷移は特にd-d遷移と呼ばれる。 d-d遷移はモル吸光係数(ε) が極めて小さい(1~102M-1cm-1)のが特長である。 これに対し、有機物でπ共役系を有する分子はπ軌道間の遷移に基づくπ―π * 遷移を持っている。 このような配位子が金属に結合してもこのπ-π *遷移がほとんど変化を受けないような場合もある。 このような場合は、金属錯体になってももとの有機物の配位子遷移のままなので、配位子内遷移(LC 遷移) という。 配位子のπ―π *遷移が錯体中でもそのまま残るような場合は、モル吸光係数は大きくなる。 |qyr| rmq| lkh| qfx| knd| nmc| zvq| btm| yja| qes| wka| ajn| wuc| wij| jtr| cdl| aap| azo| yjt| kqk| sqi| ogw| zjy| ddg| ayl| aoh| jef| eew| wzp| lkd| dbc| urj| eza| ery| tfm| gpq| zzp| oyb| ipz| xyl| atv| fgb| ocx| ift| vdq| azw| krd| zkz| ila| fxt|