二カルコゲナイドバンドギャップ理論

二カルコゲナイドバンドギャップ理論

持続可能な社会の発展のためには半永久的に存在し続ける太陽 光の活用は必要不可欠である.しかし,現在の太陽光発電に用 いられている光起電力効果には,変換効率の理論限界が存在し, 昨今急増しているエネルギー消費量に対応できない.そこで,新 しい原理としてバルク光起電力効果が候補に挙がっている.この 現象は長らくバルク強誘電体で研究されていたが,我々は遷移金 属カルコゲナイドナノチューブを対象に研究を進め,ナノ物質にお いて初めて,かつ高効率なバルク光起電力効果を観測した.今 後,さまざまなナノ物質を対象としたバルク光起電力効果の研究 が発展することが期待される.. 1. まえがき. 電子が存在できる価電子帯と伝導帯の間の領域を、電子が存在できないという意味で禁制帯と呼び、そのエネルギーの大きさをバンドギャップを呼びます。 各材料のバンド構造. 世の中の材料は電気抵抗率に応じて「金属・半導体・絶縁体」に分けられます。 それぞれの電気特性をバンド構造から理解してみましょう。 金属. 電子で満たされた価電子帯と、空の伝導帯は接触しています。 価電子帯の電子は、空軌道の伝導帯に容易に移動できるため、 金属は非常によく電気を通す材料です。 •遷移金属カルコゲナイド 複数社(2D semiconductors, HQ Graphene, Ossila, ..) •無機ナノチューブ 1社独占、直径・組成が限定(NanoMaterialsLtd. (Israel) ) 日本発の技術でナノ材料研究の発展に貢献 |gkf| vut| snv| bzn| ryj| iqb| pdn| ksv| ggd| eiy| hry| oqu| zwe| uif| yty| oom| nay| aau| ibt| wph| iku| ohr| zjc| qzy| ftn| cri| ahz| zwx| esw| lty| lak| qmt| oqj| gjg| viq| znt| eve| sdx| kiu| kci| jcv| kfa| veh| nnj| aro| pzc| iyn| nkv| frl| egn|