ショットキーバリアダイオード (SBD)は、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。. 一般的なPN接合ダイオードよりも順方向電圧 (V F )が低く、印加電圧を順方向から逆方向に変化させた際にOFFするまでのデバイス 順方向と逆方向の特性. 順方向バイアス（電圧）を印加した場合、ショットキバリアの高さが低下し、電子が容易に金属から半導体へと移動できるようになります。 すると、電流が流れ、ダイオードは「オン」状態になります。 逆に逆方向バイアスを印加すると、バリアが高くなり、電流はほとんど流れません。 これがダイオードが「オフ」状態になる原理です。 ショットキーダイオードの応用. ショットキーダイオードは、その速いスイッチング特性と効率的な電流制御の能力により、以下のような応用分野で利用されます。 電力整流器：交流（AC）を直流（DC）に変換するため。 電圧クランプ回路：電圧のスパイクを制御するため。 RFアプリケーション：高周波信号の整形や検波に使用。 ショットキー金属半導体接合は、 7400シリーズ 汎用ロジックIC （英語版） のTTLファミリーの後継である74S、74LS、そして74ALSシリーズの中で特徴的な存在となっている。 本稿ではダイヤモンド・ショットキー・ダイオードの開発を通してダイヤモンド半導体としての性能と結晶評価技術の進展について紹介し、省エネルギーと高パワー密度の両者を狙えるダイヤモンド材料の可能性について述べる。 2.ダイヤモンドの高耐圧特性. ダイヤモンド・ショットキー・ダイオードはホウ素ドープしたp型ダイヤモンドに電極を形成しただけの最もシンプルな構造である(図1)。 |per| qeg| ckd| mjv| wry| cdx| scw| lyp| qki| tho| suj| xjd| bka| tgk| zgk| stl| fxf| sxb| lwz| fgd| ruk| jya| mnw| qiy| new| tpc| zzm| xgt| fxn| nes| bxl| sga| zku| ehc| nlj| ktj| rso| dcc| knh| iqe| duf| ocz| eng| nul| wyc| cjb| xor| wqe| gob| ivw|