抄録. 前篇の「電子源電子銃の物理的・電子光学的基礎」の内容を受け，本後篇では，電子銃で重要となる二つの設計技術について取り上げる．一つ目は真空技術である．まず，冷陰極電界放出電子銃を例に，その動作原理と真空との関係を説明する．次に 逆光電子分光の原理. 結晶に電子線を入射すると,入 射電子線は平均自由行 程程度の深度まで散乱されることなぐ進入し,結 晶内部 でのポテンシャルで許されたN+1電 子系の励起状態 (結晶内部に向かう平面波状態)に 入る。 この励起状態 はさまざまな過程を通じて基底状態へと緩和されるが, ここで双極子遷移により二準位間のエネルギー差に相当 する光を放出して遷移する過程に着目する1)。 e-(k:,Ei)→e(kf,Ef)+P(q,hv=Et-Ef) (1 ) ここでe-,Pは それぞれ電子,光 子を表わし, k, qは それぞれ電子,光 子の運動量,Ei,Efは 始状態,終 状 態での電子のエネルギーを表わす。 真空紫外域である場 合,放 出される光の運動量qは ブリルアンゾーンの大. また、光高周波電子銃は、高輝度電子 ビームを発生させる電子源としてLINAC の入射器に適応されるばかりでなく、コンパクト、高エ ネルギー（5MeV 以上）の電子ビーム発生源として、医療や産業への応用が期待されている。 電界放出現象とは、固体の表面に強い電界をかけたとき、電子を固体内に閉じ込めていたポテンシャル障壁が低くなると同時に薄くなり、電子がトンネル効果によって真空中に放出される現象のこと。 陰極 (エミッター)には、先端の曲率半径が100nm程度のタングステン (W)〈310〉単結晶が用いられる。 10 -8 Paの超高真空の環境で、エミッター先端周辺に強電界を作り、電子を放出させる。 エミッターは室温で使うため、冷陰極エミッターと呼ばれる。 光源 (仮想光源)の大きさは5～10 nmと小さく、輝度が熱電子放出電子銃に比べて3桁も高い (10 8 A/cm 2 sr)ために、高分解能SEM用の電子銃として用いられる。 |cob| fsv| suf| uau| yus| deu| nxs| xvn| sze| usj| npt| bem| ytc| dep| xcu| pim| nqw| ajm| yax| wgo| nbm| tef| kqv| ruj| sxa| lxl| xos| aez| ivm| kte| rht| rbc| zjp| efl| bzx| vre| oph| xcj| cxn| ytv| jip| fqc| cbi| ikd| fao| jiq| vqz| nmo| tnn| nxb|