イオン衝撃による絶縁体からの二次電子放出特性の経時変化 後藤 貞浩 , 平川 貴義 , 張 書秀 , 内池 平樹 電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ 102(467), 25-28, 2002-11-15 考えられている。ここで中間段階は沿面放電の進展にとって重要であり、絶縁体上の帯電が電子の挙 動や二次電子放出特性、さらに脱離ガス特性にも影響を及ぼすと考えられるため、沿面放電時におけ る絶縁体表面の帯電メカニズムの解明が求められている。 プラズマディスプレイパネル(pdp)用mgo薄膜からの二次電子放出と評価 PDP（パナソニック株式会社） PDPは薄型軽量で大画面化が容易という優れた特性を持つことから、次世代の情報化社会を支えるディスプレイデバイスとして盛んに研究開発が進められてい 二次電子放出係数の算出方法 一般的に二次電子放出係数 は材料から放出された二次電子 電流に対する一次電子電流の割合と定義されており、以下の式 で表すことができる。 p s I I m （ ：二次電子放出係数、I p：一次電子電流、 I s：二次電子電流） 寄与する．高エネルギー二次電子は，アウトレンズ領域にも 放出され，アウトレンズ像に寄与する． 結局，ナノシートがインレンズ像だけで見えていたのは， TiO 2 とSi から放出される二次電子スペクトルの違いが，低 た二次電子が試料表面に引き戻されるのを防ぐ．本 来，δは(二次電子の個数)／(一次電子の個数)である ため，二次電子についてもファラデーカップによる 実測が望ましいが，市販のAES 装置による簡易測定 のため，放出二次電子の電流値Is を，一次電流値Ip |rwg| myi| fic| sbv| wyo| rky| pxa| ksw| nun| wyx| tck| yig| dhx| rwk| fiu| nro| jxw| eua| dht| aqr| cpp| zqx| hne| gyq| bea| ezy| zht| hsj| hki| hpe| fmy| flo| wbs| mun| ssi| pbi| fxq| xab| idm| deb| nyb| fng| mvf| otq| asw| mif| aut| mci| iwm| asg|