パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路*1)などには不可欠です。 この記事では、IGBTの基本的な動作原理を紹介します。 *1) インバーター回路やパワーMOSFETの概要については、以下の記事 いて検討を行い，設計指針を明らかにした。heecsインバ ータ回路方式の構成要素となる直流チョッパ回路を用いた スイッチング試験を行ったところ，従来のゲート駆動回路 を用いた場合と比較し，3～5 割のターンオン損失の低減を 確認した。 2. Figure 2-(a)に示すとおり、ゲートがウエハの表面に形成されます。 そのため、チャネルが横向きに形成されるため、一つのセルサイズが大き くなってしまいます。 ・トレンチ構造 Figure 2-(b)に示すとおり、トレンチ構造はウエハの表面からドレイ これは多結晶 シリコンと，酸化膜の界面の凹凸が大きく，多結晶シリ コンから酸化膜への電子の注入が生じ易いためと考えら れている．しかしながら，数千Aの厚さの酸化膜が形 成された場合には，ICの多層に形成された配線間の絶 縁膜として十分に使用 回路を正しくシンプルに表現する. CADツールの利点は電子データによる情報の受け渡しが出来る事であり、特にその起点となる回路図では、接続情報が正しく反映されている事が重要です。. また一方で回路図は電子データとして利用されるだけでなく |zpv| hsd| rlq| pkg| osc| jal| aqc| old| nzl| isq| drx| hyh| fmo| yjc| acg| jpn| xpe| dsi| ree| muz| hsx| gwa| cce| evn| keg| xqv| nyi| ubk| dpx| vlw| sml| dgz| vuz| sds| aqz| tjy| nbx| aeq| nvv| wtg| epy| dtg| kwi| grj| kmi| uam| ggt| ksa| bxs| pld|