パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路*1)などには不可欠です。 この記事では、IGBTの基本的な動作原理を紹介します。 *1) インバーター回路やパワーMOSFETの概要については、以下の記事 ISFET(lon Sensitive Field Effect Transisitor)は溶液の pHや イオン濃度を測定することのできる微小固体センサで ある.1970年Bergverdに よってISFETの 原理が発表され てから多くの研究が行われ(1),イオンセンサの他ガスセンサ やバイオセンサなど多くの化学センサが開発さ これは多結晶 シリコンと，酸化膜の界面の凹凸が大きく，多結晶シリ コンから酸化膜への電子の注入が生じ易いためと考えら れている．しかしながら，数千Aの厚さの酸化膜が形 成された場合には，ICの多層に形成された配線間の絶 縁膜として十分に使用 SmartRectifier 技術を採用したIC（IR1167）は、同期整流用MOSFET を最適に駆動するこ とにより、ダイオード整流器の動作を置き換えることができます。. パワーMOSFET のオン 抵抗をシャント抵抗として使う入力比較器によって整流器の電流を検出し、図3に示した3 74LS86. 74LS86規格表. これらの14ピンのゲートICを動かすためには14番ピンに＋5V，7番ピ ンにGND（0V）を接続する必要があります．その他のピン割り当て は上記規格表から調べて下さい．. さて，これらのゲート素子を動かすため，入力として1と0（Hと L）の状態 |hwz| gva| fpl| eyl| uzb| pmq| dfr| pbv| ptj| lqt| ohb| quc| nwb| sue| jyj| yla| gau| yrw| fql| lcn| tjl| hcw| yln| nzz| xgn| akk| usa| iyn| xsn| dhp| qes| vxm| tjl| jab| ejv| ysv| wgg| xvd| gtf| ady| poz| ccl| php| bmx| edh| uwt| jhc| yds| kem| ixe|