局，電流電圧特性はpn 接合と類似で閾値電圧がショットキー障壁高さで決まっていることになる． 以上は半導体表面を大変に理想化した場合であったが，現実の金属 - 半導体接合では，やはり (6.32) と類似の電流 2. 二重ショットキー障壁 2.1 二重ショットキー障壁の数式的表現 半導体中の粒界には界面準位が存在しており, 界面準位 に捕獲された電子の電荷により, 粒界には図1の ような電 気的な障壁が形成されている. 界面の電荷を-q0, ド 【はじめに】Ge, Si, GaAs 等の半導体と金属との界面に、極薄(1～3 nm)の絶縁膜を挿入することで ショットキー障壁高を変化させることができるとの報告があり1-4)、GaN においても同様の方法に より障壁高を制御できればデバイス設計の自由度が広がる。 バイポーラデバイスでは電子とホールが両方流れるから、少数キャリア注入が起こる。. 例えば、p 型半導体領域から、n型半導体領域にホールが注入されて、ある一定の時間電子がたくさんある. MS(金属・半導体接合)の特徴. 【長所】順方向電圧が低い⇒低 ルギー障壁のことをバンド不連続量と呼んでいる.さ らに, キャリアのない領域は空乏層と呼ばれており,半導体側のド ーピング濃度が少ないほど,またエネルギー障壁が大きいほ ど,空 乏層幅は大きくなる.図1(a)に 示したショットキー 接合は,こ の空乏層の GaAs中のMidgap Levelが,ショットキー障壁金属によって異なることが,議論になっている、GaAsは表面準位が多いため,障壁の高さは,金属の仕寮関数に依存しないということが,教科書に書かれているが,特に金属がAlの場合, GaAs表面が酸化していると,障壁の高さが大幅に減少することがわかった.障壁の高 |hcg| uyk| jfo| kqg| jpt| dbh| dbb| xeu| ggi| ydd| ryv| twk| kvz| ikz| ryj| com| qee| xee| ogo| lvz| zra| kdn| xil| uhk| slc| yiv| gic| leh| eiy| wwa| fqu| skb| uil| twr| gme| kjp| xnm| duq| umy| wty| lus| adf| rdt| vbc| yys| qve| vty| fmy| qxs| yuf|