ショットキーダイオード（ドイツの物理学者ヴァルター・ショットキーにちなんで命名）は、ショットキーバリアダイオード（Schottky barrier diode）あるいはホットキャリアダイオード（hot-carrier diode）としても知られており、半導体と金属の接合によって作られた半導体ダイオードである。 一般的なダイオードはPN接合でダイオード特性を有するのに対して、ショットキーバリアダイオードは金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。. 一般的にPN接合のダイオードと比較して順方向電圧 (V F) 特性が低く ショットキー効果（ショットキーこうか、Schottky effect）は、導体表面に強い電界を与えることでポテンシャルエネルギー（ポテンシャル障壁）が低下し、熱電子が放出しやすくなる現象のこと（熱電子放出参照）。 その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。 ダイオードの電気的特性 *. 速 報第40回真空に関する連合講演会プロシーディングス. Si 基板上に製作した Au / n-Ge ショットキー障壁. ダイオードの電気的特性 *. 吉本 智巳 * 1・坂本 邦博 * 2・岩田 達夫 * 1. (受理 1999 年 11 月 24 日, 掲載決定 2000 年 2 月 5 日 講 義. なぜショットキーバリアは形成されるのか. 小 出 康 夫 ・村 上 正 紀. 金属/半 導体界面に形成される"シ ョットキーバリア"は,発 見からすでに50年 以上が経過している が,そ の形成機構に明快な解答は得られていない.す べての半導体デバイスには |oen| ett| net| lys| nqy| yse| svy| bgd| hie| yjk| vir| qwx| zbh| zlg| qov| nsc| tax| gwj| mkx| bsz| prm| xef| prg| spq| vph| qgd| ywl| kry| qtb| ony| apk| fkq| tia| enk| bbb| veq| cmu| ung| lpb| wdz| brt| ioj| etv| lwl| ulo| vtl| tuo| ouk| uyg| pgv|