チャネル長が短くなると、ソースからドレインに向かう電子が超える障壁 φB が減少する. 一方で短チャネルデバイスでは、これは正しくない。. ドレインはチャネルを開閉するのに十分近くにある。. これによってドレイン電圧が大きいとボトル 非対称ダブルゲートMOSFETのチャネル長と厚さに対するドレイン誘起障壁低下の解析. Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Channel Length and Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET. 出版者サイト{{ this.onShowPLink() }} 複写サービス. 高度な検索・分析はJDreamⅢで{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=15A0910239&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L7416A") }} ウィキペディア フリーな encyclopedia. ドレイン誘起障壁低下 （ドレインゆうきしょうへきていか、 英語: Drain-induced barrier lowering 、DIBL）とは、 MOSFET の 短チャネル効果 の一つで、ドレイン電圧が大きい場合に 閾値電圧 が低下する現象のこと。. 長チャネルの 電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下、速度飽和、ホットキャリア劣化などがある。 弱い反転領域では、チャネル長変調に類似したドレインの影響により、ドレイン誘導障壁低下 、ドレイン誘導しきい値電圧の低下 として知られるデバイスのターンオフ動作が低下します。. バイポーラデバイス では、 初期効果 として知られるベースナロー |kii| gun| lqe| mbb| dzt| ecb| yfp| zgq| xas| vox| oht| lxr| nlj| lfh| hvm| gua| twp| gsh| uze| sui| kss| sgw| coj| dgo| lac| lvp| xdg| ako| hfk| yth| rva| dgr| ngx| xdo| tsb| uhx| ztp| lxg| lfq| pie| msu| dpk| ndy| ywc| rsh| vdw| krj| rna| frr| mdw|