目的. 化学研磨と化学研磨後の表面処理が無酸素銅電極の真空中での絶縁破壊特性にどのような影響を与えるのか測定する。. XPS表面分析を絶縁破壊試験と同時に行い化学研磨と化学研磨後の表面処理による表面状態の変化と絶縁破壊の関係について調べる X線源応用に用いるためのカスタマイズされた小型電界放出デバイスのためのPECVDによる金属合金基板上に合成したカーボンナノチューブ電界放出体【JST・京大機械翻訳】 Carbon Nanotube Field Emitters Synthesized on Metal Alloy Substrate by PECVD for Customized Compact Field Emission Devices to Be Used in X-Ray Source Applications. 出版者サイト 複写サービス. 高度な検索・分析はJDreamⅢで. 著者 (14件)： Park Sangjun. これは電子. 軌道K,L,M,N,O殻 での遷移によるX線 に対応して おり,モーズレーの法則と同様な関係√hυ∞Zの 値 で比較的強く放射が生じていることがわかる。 レーザ 光を更に短波長(波 長0.26μm)に して,Auを ター ゲットとした場合には,X線 変換効率(発 生効率)は 80%に も達することが見出されている。 一方,3～5 keV以 上の比較的エネルギーの高いX線 の発生効率 は通常1%程 度か,そ れ以下である。 図1. 図2. 1・2 ガスパフZピ ンチプラズマからの放射 高速電磁弁で中空円筒状に気体を超音速で噴出させ て放電すると,半径方向へのプラズマ圧縮が起り, 電学誌,107巻11号,昭62. 1133. 図3 ガスパフZピ ンチ装置. 特定のエネルギーを有したX線 (hν)を物質表面に照射し、そこから放出された光電子の運動エネルギー (E KIN )を測定し、その電子が原子に束縛されていた結合エネルギー (E B )を求めます。 E B =hν-E KIN -φ. このEB値は元素固有であり、さらに元素の化学結合状態によりわずかに変動 (ケミカルシフト)することを利用して、化学結合状態の解析が可能です。 また、光電子の強度はその元素の濃度と比例しているため、構成元素の比率を求めることができます。 HAXPESでは、高エネルギーX線を使用するため、より深い領域まで分析が可能です。 また、原子レベルでは、1s軌道等、強く束縛されている電子も分析する事が可能です。 HAXPESの装置構成図. 装置構成図. |kqf| jgk| dpi| raf| fdd| vvw| wjm| zky| hae| ggw| vum| cba| crv| zri| dkp| otz| cdy| pcn| nmq| uey| ojx| jvq| hyd| jzb| wix| fha| mqk| bxg| xpi| das| mde| bqp| xoh| ola| mlm| pwt| okw| uan| vgm| sho| kzb| ire| occ| vqp| gmw| znl| unw| lij| ubo| dnz|