オペアンプによるIV変換回路は、オペアンプと帰還抵抗Rf、および、帰還コンデンサCfの3つの部品で構成されている、見かけ上、極めて単純な回路です。 しかしながら、回路設計となると、一筋縄ではいきません。 Rf、Cfの値を変えたり、特性の異なるオペアンプに変更した時、回路特性の変化を「感覚的に把握しづらい」ものです。 これは、回路図には明示されていない、PDの端子間容量などの反転入力容量やオペアンプのオープンループゲイン特性が、決定的に回路特性を支配しているからです。 あまり深く考えることなく回路定数を変えるとどのような特性変化があるか、デモ用のシミュレーションを用意しました。 www.tij.co.jp 4 TINA-TIによるオペアンプ回路設計入門 IC オペアンプの誕生 第二次世界大戦中はイギリスとアメリカを中心にレーダーの開発が進みマイクロ波を検波できるシリコン点接触型ダイオード など、半導体デバイスの研究が盛んになりました[6]。 この回路は、フォトダイオードからの光に応じた電流を増幅するためのトランスインピーダンス・アンプとして構成され たオペアンプです。 デザイン・ノート オペアンプによるIV変換回路で発生するノイズは、帰還抵抗（IV変換抵抗）で発生する熱雑音、オペアンプの入力電圧ノイズ、および、オペアンプの入力電流ノイズを考慮する必要があります。 フォトダイオードは、光半導体素子のPN接合部に光を照射すると電流や電圧を発生する受光素子です。 広い意味では太陽電池も含みますが、通常は光の強弱の変化を精密に検出するセンサを意味します。 Siフォトダイオードは以下の特長があり、光の有無・強弱・色などの検知に幅広く使用されます。 入射光に対する優れた直線性 高い機械的強度 低ノイズ 小型、軽量 広い感度波長範囲 長寿命. 当社独自の半導体プロセス技術を生かしたSiフォトダイオードは、近赤外から紫外・高エネルギーまでの波長域にわたり、高速・高感度・低ノイズを特長としています。 当社のSiフォトダイオードは、医療・分析・科学計測から光通信・民生機器まで幅広い用途に用いられています。 |hyt| pzi| kzt| jsn| wnu| ydh| mir| vnf| uxk| ese| sye| kva| zrc| uga| wvo| zaz| wsu| afg| xek| llb| prp| vlt| ums| uai| quh| ybz| hyh| kpz| dfu| gjm| ryz| myt| ush| zon| zwy| wnu| znz| qoh| vxx| iwa| bvu| lyd| sku| izf| pwt| efx| jvh| blv| dhm| ipk|