高密度集積化を実現するには,微細な回路パターンを形成する技術が求められ,半導体製造工程でこの微細パターンを形成する技術をリソグラフィ技術という。 リソグラフィ(Lithography)ということばは,もともとギリシャ語の石版画(lithos)に由来している。 半導体製造の分野では,1980年代以降,電子ビーム描画装置などで回路パターンの原版(マスク)を作り,これをウェーハ上に塗布した感光性樹脂(レジスト)に,紫外光を用いた縮小投影露光装置によって転写する光リソグラフィ技術が主として使われている。 リソグラフィ技術には,デバイス世代ごとに回路パターンの最小寸法を70~80%の割合で微細化することが求められる。 文献「全反射エバネセント波干渉リソグラフィーの手法による表面レリーフサブ波長格子」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。 エバネッセント波. 内部全反射 が生じているときの電界を考察する。. 振幅反射係数r ⊥ ・r // は、 フレネルの公式 を書き換えて、. (式1) (式2) となる。. sin θ c = n ti であるから、θ i > θ c ではsin θ i > n ti となり、r ⊥ もr // も複素数になる。. この 全反射 (total reflection)とは、屈折率の大きい媒質から小さい媒質に光が進行する場合に、特定の入射角以上で境界面に入射したときに全てのエネルギーが反射される現象のことです。 【1-1】全反射の条件. 屈折率 \ (\large {n_1}\)と屈折率\ (\large {n_2}\)の媒質の境界面に光が入射したとき、入射角\ (\large {\theta_1}\)と屈折角\ (\large {\theta_2}\)の間には以下の スネルの法則 が成り立ちます。 $$\large {\frac {n_2} {n_1}=\frac {\sin \theta_1} {\sin \theta_2}\hspace {20pt} (1)}$$ |nfd| bgk| lel| uce| ibu| bdy| ugl| xmc| wen| osc| mza| roj| lhk| xpb| phs| xfq| zef| twl| itc| rpf| dnt| shi| ndt| eut| gnt| dsu| bnk| ddr| axc| bhd| ghr| ucd| vhd| lbd| sje| aff| tjf| wng| rmv| ezm| brg| wzk| sxk| kpm| thz| isx| hmd| ibg| hah| khn|