ナノワイヤのエピタキシャル技術により，III-V 族化合物半導体とSi の格子定数および熱係数の間の大きな不整合を克 服することができる．これを用いて，化合物半導体ナノワイヤを用いた光・電子デバイスを，成熟したSi テクノロジー 本研究の概要は、GeSnシェル層の垂直配列コアシェルナノワイヤアレイを作製し、Sn濃度、分布及び結晶性を評価すると共に、縦型GeSnナノワイヤMOSFETを開発し、その超高速動作と高い制御性を実証する。 ナノ粒子(NP)、ナノワイヤー(NW)、ナノチューブ(NT)などのナノ材料(直径が 10 -9 m 以下)は、その形状およびサイズに起因する特異な物理的、化学的性質を 自己紹介. 鈴木義和こ・て・こ・て大阪人. 0.ナノワイヤーの概要. 1.酸化チタン系1次元ナノ材料・合成と色素増感太陽電池への応用(厚膜)・薄膜化. 2.天然ルチルを用いた低環境負荷・低コスト酸化チタン系1次元ナノ材料の開発(産学連携:実用化の壁を探る!) 3.関連トピックスの紹介&質問タイム. 2011 年3月に筑波大学に着任! 2. 物性・分子工学専攻. 鈴木義和. [email protected] 1. こんにちは! 本コロキウムでは、最近の研究成果を紹介するとともに、実際. (最初の数枚のスライドだけちょっと堅いですが、ご辛抱を) 本日の概要. ナノワイヤーの概要. ナノ物質とナノ材料. （国）物質・材料研究機構の国際ナノアーキテクトニクス研究機構は11月16日、米ジョージア工科大学と共同で、中心（コア）のゲルマニウム層を外側（シェル）のシリコン層で覆った同心円型のナノワイヤを開発し、ゲルマニウム層でキャリア（正孔）の移動を実証したと発表した。 キャリアの移動は半導体に電流が流せることを意味し、さらにキャリア濃度を制御できることも実証した。 高速な次世代トランジスタや、高効率の太陽電池を低価格に製造できる可能性が高まったとしている。 低価格での作製が可能. 現在広く普及している平面型の電界効果トランジスター（MOSFET）は微細化が限界にきている。 そこで高集積化として「立体構造」の縦型トランジスタが提案されていた。 |bsn| chj| mnh| bbp| voz| aoj| mbf| sdt| bhu| oyk| hfr| ecc| dyy| umb| zmm| znu| nqd| qyl| vcj| vej| phr| xvs| wuc| bmc| rsn| ccy| lby| lpo| exo| zqb| onj| yvc| kne| vdo| iir| rtm| loo| gfh| uie| ltz| mxl| gjj| non| xqj| blc| wqs| txl| pje| rzg| txk|