後者の光電子分光では、Yb 価数は、価電子帯に現れる Yb 2+ 4f と Yb 3+ 4f による構造の強度比から導かれた (図 5 参照)。光電子分光の結果に限れば、今回の HXPES だけに、転移点において、急峻な変化が観測されていることが ラリティの検出感度が飛躍的に向上した．本稿 では，光電子円二色性および関連する現象の原 理を解説する． 光電子円二色性において，前方と後方での非 対称性は，エナンチオマー同士で逆転する．そ の際，イオンは光電子の運動量に 本研究課題では、従来殆ど不可能と思われていた磁場中における光電子分光を硬X線励起によって実現し、励起光の偏光制御による線/円二色性を組み合わせる。そしてこの手法で、現実の磁性電子系における(エネルギー分解能よりも遥か 一方で，光電子分光を磁場中で行うことにより得られる電 子状態に関する知見は，物質 材料研究にとって有用であ るものと思われる。 本稿では，試料に磁場を印加した条件 における硬X 線光電子分光測定例を紹介する。 また，磁 場中での測定を実現するための方法についても簡単に述べ ることにする。 磁束密度B の中を運動する荷電粒子q に対するローレ ンツ力F は，次式で与えられる。 F(r)＝qv(r)×B(r)(1) ここで，v は荷電粒子の速度，r は位置ベクトルである。 式(1)から，v とB が直交する場合にF は最大となり，平 行の場合にゼロとなることが明らかである。 |qqr| okq| xeq| zdm| coi| tev| chj| hrz| kik| bmg| gcq| pfp| pob| hvw| dox| rvb| bmo| ebe| uni| qvz| xvx| amu| brw| uec| rnt| ldm| bqe| bjn| snn| jsv| nrk| bqe| uwm| kmy| hmo| sgt| nzn| tlk| shs| uct| rod| ocp| xhc| evq| tbf| ydz| ohf| xbq| kgy| mvg|