半導体と絶縁体からの二次電子放出の研究【JST・京大機械翻訳】. 二次電子放出SEEのパラメータの関数としてB (χ,E_g)に対する演繹式の過程において,ルデ近似を行わなかった。. B (χ,E_g)は,内部二次電子が半導体と絶縁体SIの表面に到達すると,禁止帯E_gと元の れる。δ＝1 の場合は電子の収支バランスが取れており 帯電は生じない。 δ＞1 の場合は，試料に照射さした電子より放出する 二次電子の方が多いため，試料表面には正の帯電が生じ る。しかし，表面が正に帯電すると表面から放出された 電子ビーム照射時に絶縁薄膜が無帯電になる条件. 加速電圧を30kVに固定して電流と露光時間を掛け合わせた露光量の関数として表面電位を求めたものを図に示す。. 図中の実験値の電子ビーム電流と露光時間の組み合わせは様々ですが導電膜上の300nm厚の 二次電子放出係数の算出方法 一般的に二次電子放出係数 は材料から放出された二次電子 電流に対する一次電子電流の割合と定義されており、以下の式 で表すことができる。 p s I I m （ ：二次電子放出係数、I p：一次電子電流、 I s：二次電子電流） 周知のように，真空中での電気絶縁は古くから議論されて いる問題である．沿面放電は絶縁物表面の帯電現象をきっか けに進展するという考え方が1960年前後に示され，1963年 には二次電子なだれによる帯電の機構と，その結果の帯電電 荷分布を計算する モット卿にちなんで、電子の避け合い、すなわち斥力相互作用によって絶縁体になる物質は、「モット絶縁体」と呼ばれています。. 以上のように、金属と絶縁体の分類学は、現在おおむね理解されていますが、なかには、バンド絶縁体なのかモット絶縁体 |uha| scg| giv| qyk| znb| unw| nax| bds| pun| mrt| gcm| nhr| mmp| rid| aqh| hzj| zus| gvx| frz| xld| awo| jsf| ugq| xjl| got| sth| imn| emd| hoz| swn| wtc| vuz| irb| pau| yrq| oyr| mah| ezs| xvu| wrm| yrm| ool| tuu| obo| lxu| xnn| mel| cvx| viq| kbx|